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                铁硅铝与间隙铁氧化比较

                日期:2018-11-16 标签:2013 来源:铂科

                铁硅铝和间隙铁氧体是两种常用的材质,在软饱和方面≡,间隙铁氧体必须在下降曲线的安全区进行设〇计。铁硅被设计在受控制●的下降曲线范围中,这样就能够提供好的容错特性,特别是在高功率时候。

                在磁通ξ量比较方面:假设特定的♀50%下降设计点,铁硅铝(Kool Mμ)的磁通量是间隙铁氧体『的2倍以上, 这使磁芯的尺寸可缩小35%,设计时可以把磁芯的尺寸缩小30%35%。软饱和曲线使铁硅设计本身具有容错能力,而间隙铁氧体则没有。铁氧体磁能力随温度变化,而铁←硅保持相对稳定。很多铁氧体供应商或者厂家会给出产品在25℃到100℃不同╲环境下材质的差异。由于铁硅铝的材质及结构〒和间隙铁氧体不同,随着温度改变,变化不会很卐大。

                在边缘损耗方面:铁硅不会※发生边缘损耗,而间隙铁氧体有很大的边缘损耗。铁『芯的间隙部分随着温度的增加损耗会增加。铁硅铝(Kool Mμ)也有间隙,但是这是均匀的分布式间隙,因为这个〓形式,在高功率的应用▃上会更好。

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